等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）優(yōu)勢(shì)介紹！
文章導(dǎo)讀：等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）是等離子體的一種應(yīng)用方向，在：半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、光學(xué)儀器、電子器件、新能源電池、傳感器等提供多樣的表面處理方案，那么等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）有哪些獨(dú)特之處呢？
等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）是等離子體的一種應(yīng)用方向，在：半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、光學(xué)儀器、電子器件、新能源電池、傳感器等提供多樣的表面處理方案，那么等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）有哪些獨(dú)特之處呢？
一、什么是氣相沉積工藝？
工藝主要用于物體表面涂層處理，在絕緣材料、金屬材料、金屬合金材料等表面進(jìn)行處理；也就是通入兩種及兩種以上的氣態(tài)原材料進(jìn)入反應(yīng)室，兩者發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成一種新的材料，沉積在晶體的表面；如：沉積氮化硅膜(Si3N4)，就是由硅烷和氮反應(yīng)形成。
二、等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）優(yōu)勢(shì)在哪？
1、PCVD可以在低溫下成膜，如沉積 TiC、Ti（CN）、TiN 和 SizN的反應(yīng)溫度可分別在700K、550K、520K 和530K下進(jìn)行；常規(guī)的氣相沉積需要在1200K、1000K、900K 和1200K下進(jìn)行。
2、PCVD工藝可以減少薄膜和襯底熱膨脹系數(shù)不匹配而造成的內(nèi)應(yīng)力。
可以大大減小由于薄膜和襯底熱膨脹系數(shù)不匹配所造成的內(nèi)應(yīng)力、
3、PCVD工藝可以解決氣體工藝難以處理的物質(zhì)，如：TCVD下反應(yīng)速率極慢的污漬，可以采用PCVD工藝進(jìn)行處理。
三、等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）有哪些不足呢？
PCVD往往傾向于在薄膜中造成壓應(yīng)力，這種壓力在涂層較厚的時(shí)候，有一定肯定造成開裂或者剝落；某些脆弱襯底在等離子體轟擊下會(huì)被損傷；同時(shí)等離子體會(huì)在表面發(fā)生改性作用，如果產(chǎn)品無需活性變化，這就不利，會(huì)降低抗腐蝕性和抗輻射能力。
目前等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，如果你有需求，歡迎聯(lián)系我們進(jìn)行試樣哦！
工藝主要用于物體表面涂層處理，在絕緣材料、金屬材料、金屬合金材料等表面進(jìn)行處理；也就是通入兩種及兩種以上的氣態(tài)原材料進(jìn)入反應(yīng)室，兩者發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成一種新的材料，沉積在晶體的表面；如：沉積氮化硅膜(Si3N4)，就是由硅烷和氮反應(yīng)形成。
二、等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)（PCVD）優(yōu)勢(shì)在哪？
1、PCVD可以在低溫下成膜，如沉積 TiC、Ti（CN）、TiN 和 SizN的反應(yīng)溫度可分別在700K、550K、520K 和530K下進(jìn)行；常規(guī)的氣相沉積需要在1200K、1000K、900K 和1200K下進(jìn)行。
2、PCVD工藝可以減少薄膜和襯底熱膨脹系數(shù)不匹配而造成的內(nèi)應(yīng)力。
可以大大減小由于薄膜和襯底熱膨脹系數(shù)不匹配所造成的內(nèi)應(yīng)力、
3、PCVD工藝可以解決氣體工藝難以處理的物質(zhì)，如：TCVD下反應(yīng)速率極慢的污漬，可以采用PCVD工藝進(jìn)行處理。
PCVD往往傾向于在薄膜中造成壓應(yīng)力，這種壓力在涂層較厚的時(shí)候，有一定肯定造成開裂或者剝落；某些脆弱襯底在等離子體轟擊下會(huì)被損傷；同時(shí)等離子體會(huì)在表面發(fā)生改性作用，如果產(chǎn)品無需活性變化，這就不利，會(huì)降低抗腐蝕性和抗輻射能力。
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